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解析未來全球LED照明市場發(fā)展趨勢
一、LED照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢與分析
1.大功率的高亮LED增勢迅猛,逐漸成為主流產(chǎn)品
2008年,全球LED市場規(guī)模達(dá)到80億美元,所占整個LED產(chǎn)品的市場比例由2001年的40%增長到2005年的70%以上,其中高亮度LED在1995-2004年間的年均增長率達(dá)到46%。美國市場研究公司Communications In-dustry Researchers(CIR)預(yù)測,全球LED的市場規(guī)模年均增長率超過30%,2009年市場規(guī)模將超過100億美元。近年來,隨著LED在照明、小尺寸面板背光源以及室內(nèi)照明等新應(yīng)用領(lǐng)域逐漸擴(kuò)展,高亮度LED過去數(shù)年一直處于高速增長階段,在LED中的比重將逐步加大,已成為LED主流產(chǎn)品。
2.通用照明實現(xiàn)技術(shù)突破,照明升級工程產(chǎn)業(yè)機(jī)會巨大
通用照明占照明領(lǐng)域的90%的市場份額。半導(dǎo)體照明作為繼白熾燈、熒光燈、節(jié)能燈后,具有革命性意義的第四代新型高效固體光源,具有壽命長、節(jié)能、綠色環(huán)保等顯著優(yōu)點。但目前LED的應(yīng)用領(lǐng)域主要在特種照明,目前美國、日、韓、歐洲、中國及臺灣在LED科技攻關(guān)方面都已啟動專項國家規(guī)劃,如果用于通用照明的技術(shù)一旦成熟,將面臨一個對500億美元照明市場份額的重新瓜分,因此照明升級工程產(chǎn)業(yè)機(jī)會巨大。
3.中國LED照明產(chǎn)業(yè)應(yīng)該向封裝高檔產(chǎn)品和光源產(chǎn)品升級方向努力
在LED領(lǐng)域,主要有三個環(huán)節(jié),即發(fā)光半導(dǎo)體外延片的生長、芯片和封裝。目前國內(nèi)三個環(huán)節(jié)都有,在中低端的應(yīng)用領(lǐng)域還有一定基礎(chǔ)。但是在關(guān)鍵環(huán)節(jié),尤其是外延片的生長環(huán)節(jié),與世界一流水平還有較大的差距。
目前我國的產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢主要在封裝,從封裝產(chǎn)值區(qū)域分布來看,我國在2008年封裝產(chǎn)值約25億美元,已經(jīng)超越日本、臺灣成為全球最大的封裝地區(qū),并具備市場與技術(shù)核心競爭能力。但是國家和政府對此的重視卻不多,如果臺灣和日本等國家地區(qū)從經(jīng)濟(jì)危機(jī)中緩解或走出,隨時可能會形成日本獨大、臺灣地區(qū)與美國齊進(jìn)、歐韓中“平分秋色”的分布格局,我們將再一次失去主導(dǎo)權(quán)和先機(jī)。因此我們應(yīng)在已有的產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢上升級,向封裝的高檔產(chǎn)品努力,同時在通用照明技術(shù)方向上多下功夫,突破LED產(chǎn)業(yè)的技術(shù)專利壁壘,培育新興市場的競爭優(yōu)勢。
(1)目前國家對于整個LED產(chǎn)業(yè)鏈的重點工作放在上游外延、芯片及下游燈具應(yīng)用這兩部分。上游投資陸續(xù)資金已經(jīng)很大,但是收效甚微,反而與國際上游龍頭的差距越來越大。下游產(chǎn)品又因為產(chǎn)品質(zhì)量問題,參差不齊,難以保證穩(wěn)定的長壽命使用效果。這樣會造成使用者對我國LED產(chǎn)品產(chǎn)生懷疑并多持保守和負(fù)面的態(tài)度。這樣各方面的意見反饋到政府領(lǐng)導(dǎo),然后國家才重視整頓LED市場,最后的結(jié)果又是一次“叫停”,導(dǎo)致需要國家花費大量的人力和資源,引進(jìn)國外龍頭企業(yè)的先進(jìn)封裝技術(shù)來指導(dǎo)國內(nèi)的下游產(chǎn)品,這樣我們將又一次失去與對整個LED行業(yè)的話語權(quán),國內(nèi)的市場渠道也會以O(shè)EM等形式被占領(lǐng)。
(2)到現(xiàn)在為止,因為四大龍頭企業(yè)(CREE、PHILPS、OSRAM、日亞化工)各有不同的技術(shù)路線和專利壟斷保護(hù),以及其封裝技術(shù)的不成熟等原因,所以目前整個行業(yè)內(nèi)尚未有一個關(guān)于LED光源的標(biāo)準(zhǔn)。如果我們先進(jìn)的LED光源企業(yè)和單位,尤其是具有核心技術(shù)先進(jìn)性的大功率LED光源企業(yè)和單位,在政府的支持和推動下,組織科研人員,對此進(jìn)行全新的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)計與制定,堅持科學(xué)實踐和創(chuàng)新發(fā)展的基本原則,將會在全球LED行業(yè)至少是中上游這一塊取得實質(zhì)性的突破。如果能在國際上參與和指導(dǎo)最后國際標(biāo)準(zhǔn)的制定,將會是中國科學(xué)技術(shù)力量繼航天科學(xué)技術(shù)之后又一次的科學(xué)創(chuàng)舉,從而直接使我國在LED行業(yè)的國際影響力得到根本認(rèn)識的改觀,達(dá)到一個新的高度。
二、大功率LED光源的核心技術(shù)與優(yōu)勢
LED一般上來說是由外延片-芯片-光源-燈具的四個環(huán)節(jié)組成,在LED產(chǎn)業(yè)中下游應(yīng)用上關(guān)鍵點是怎么解決熱阻和結(jié)溫等關(guān)鍵問題的前提條件下,保持芯片穩(wěn)定的有效光輸出。
一直以來,LED光源的一般照明應(yīng)用中存在著光源的高導(dǎo)熱金屬材質(zhì)問題、應(yīng)用的熱平衡問題、長效熒光粉問題和配光問題等四個核心技術(shù)瓶頸:
核心技術(shù)1:高導(dǎo)熱金屬材質(zhì)
目前上游龍企業(yè),比如CREE已經(jīng)可以做到的芯片光效可以達(dá)到130-150lm/W。但是LED結(jié)溫高低直接影響到LED出光效率、器件壽命、可靠性、發(fā)射波長等。保持LED結(jié)溫在允許的范圍內(nèi),是大功率LED芯片制備、器件封裝和器件應(yīng)用等每個環(huán)節(jié)都必須重點研究的關(guān)鍵因素,尤其是LED器件封裝和器件應(yīng)用設(shè)計必須著重解決的核心問題。
現(xiàn)在主流的應(yīng)用技術(shù)材質(zhì)是用鋁基板來封裝,但是鋁基板封裝的芯片散熱和光轉(zhuǎn)換效率都存在技術(shù)核心瓶頸,不能有效地控制結(jié)溫和穩(wěn)定地維持高功率的光輸出,并且應(yīng)用會因為芯片光效越高,所需的鋁基板面積就越大,會加大成本和應(yīng)用體積,極為不便。所以如何走出此誤區(qū)另辟新路是新的技術(shù)核心特點。
核心技術(shù)2:熱平衡技術(shù)
LED器件采用專利熱平衡散熱結(jié)構(gòu)關(guān)鍵技術(shù),在保持低成本和被動散熱方式的前提下,利用高導(dǎo)熱介質(zhì),通過嶄新的器件/燈具整體結(jié)構(gòu),成功降低熱阻,有效降低PN結(jié)結(jié)溫,使PN結(jié)工作在允許工作溫度內(nèi),保持最大量光子輸出。其特點如下:
(1)超低熱阻材料,快速散熱整體結(jié)構(gòu)技術(shù);
(2)高導(dǎo)熱、抗UV封裝技術(shù);
(3)應(yīng)用低環(huán)境應(yīng)力結(jié)構(gòu)技術(shù);
(4)整體熱阻<20K/W,結(jié)溫<80度;
(5)LED光源照明模組工作溫度控制在65℃以下。
核心技術(shù)3:高效熒光粉的應(yīng)用
目前市場上所常用的白光LED發(fā)光熒光粉應(yīng)用技術(shù)是將GaN芯片和釔鋁石榴石(YAG)封裝在一起做成,該技術(shù)是日本日亞化工在上世紀(jì)90年代末發(fā)明,并形成專利技術(shù)壟斷。GaN芯片發(fā)藍(lán)光(λp=465nm,Wd=30nm),高溫?zé)Y(jié)制成的含Ce3+的YAG熒光粉,受此藍(lán)光激發(fā)后發(fā)出黃色光發(fā)射,峰值550nm。藍(lán)光LED基片安裝在碗形反射腔中,覆蓋以混有YAG的樹脂薄層,約200-500nm。LED基片發(fā)出的藍(lán)光部分被熒光粉吸收,另一部分藍(lán)光與熒光粉發(fā)出的黃光混合,可以得到得白光。理論上對于In-GaN/YAG白色LED,通過改變YAG熒光粉的化學(xué)組成和調(diào)節(jié)熒光粉層的厚度,可以獲得色溫3500-10000K的各色白光。但是這種傳統(tǒng)的白光LED工藝基礎(chǔ)上采用的還是藍(lán)光LED,所以當(dāng)色溫偏高時,色彩會向藍(lán)色偏移,而產(chǎn)生色飄,形成一定的光污染。必須采用在降低光效、降低整體熱阻的情況下,方可實現(xiàn)相對的穩(wěn)定,但是衰減情況還是不容樂觀。
目前已商品化的第一種產(chǎn)品為藍(lán)光單晶片加上YAG黃色熒光粉,其最好的發(fā)光效率約為35流明/瓦,YAG多為日本日亞公司的進(jìn)口,價格在2000元/公斤;第二種是日本住友電工亦開發(fā)出以ZnSe為材料的白光LED,不過發(fā)光效率較差。
核心技術(shù)4:LED一次配光學(xué)的應(yīng)用
目前全球LED行業(yè)內(nèi)的主流做法是在封裝LED芯片形成光源或光源模組以后,在做成燈具的時候再進(jìn)行配光,這樣采用的是原有傳統(tǒng)光源的做法,因為傳統(tǒng)光源是360°發(fā)光。如果要把光導(dǎo)到應(yīng)用端,目前飛利浦的傳統(tǒng)燈具做到最好的一款,光損失也達(dá)到40%。而我們國內(nèi)眾多的LED下游廠家應(yīng)用的燈具光學(xué)參數(shù)其實都是芯片或者光源的光學(xué)參數(shù),而不是整體燈具的的光學(xué)指標(biāo)參數(shù)。
現(xiàn)在最先進(jìn)的科學(xué)方法是在芯片封裝上就做配光,一次把芯片的光導(dǎo)出來,維持最大的光輸出,這樣光損率只有5%-10%。隨著技術(shù)的不斷改進(jìn),光損率將會越來越低,光源的光效會越來越高。同樣配有這樣的光源燈具無需再做配光,相對的燈具效率將會大大提高,使之更為廣泛地使用到功能性照明之中,形成相當(dāng)規(guī)模的市場渠道。
測算LED的結(jié)溫。要求已經(jīng)把LED安裝到散熱器里,并且是采用恒流驅(qū)動器作為電源。同時要把連接到LED去的兩根線引出來。在通電以前就把電壓表連接到輸出端(LED的正極和負(fù)極),然后接通電源,趁LED還沒有熱起來之前,馬上讀出電壓表的讀數(shù),也就是相當(dāng)于V1的值,然后等至少1小時,等它已經(jīng)達(dá)到熱平衡,再測一次,LED兩端的電壓,相當(dāng)于V2。把這兩個值相減,得出其差值。再被4mV去除一下,就可以得出結(jié)溫了。實際上,LED多半為很多個串聯(lián)再并聯(lián),這也不要緊,這時的電壓差值是由很多串聯(lián)的LED所共同貢獻(xiàn),所以要把這個電壓差值除以所串聯(lián)的LED數(shù)目再去除以4mV,就可以得到其結(jié)溫。例如,LED是10串2并,第一次測得的電壓為33V,第二次熱平衡后測得的電壓為30V,電壓差為3V。這個數(shù)字先要除以所串聯(lián)的LED個數(shù)(10個),得到0.3V,再除以4mV,可以得到75度。假定開機(jī)前的環(huán)境溫度是20度,那么這時候的結(jié)溫就應(yīng)當(dāng)是95度。
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