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軟件項目管理工具

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聚合物光波導的反應離子刻蝕工藝研究

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內(nèi)容簡介

　　實驗研究了表面粗糙度、側(cè)壁垂直度與各刻蝕參量之間的關(guān)系，通過對刻蝕效果的分析，發(fā)現(xiàn) 在低功率、高CHF3含量、低壓強的情況下能獲得最小的表面粗糙度；在高功率、50％CHF3含量、低 壓強的情況下能獲得較陡直的波導側(cè)壁。利用優(yōu)化的刻蝕條件，對PMMA進行刻蝕，得到了均方 根粗糙度小、側(cè)壁陡直的波導。實驗發(fā)現(xiàn)，該刻蝕條件對其他聚合物光波導材料的刻蝕也具有一 定的指導意義。

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發(fā)布：2007-11-13 16:44    編輯：泛普軟件 · xiaona    [打印此頁]    [關(guān)閉]
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