技術創(chuàng)新開啟綠色存儲時代

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　　技術創(chuàng)新實現(xiàn)突破

　　三星電子利用現(xiàn)有的ArF浸入式光刻機，克服了20納米DRAM微細化的技術限制，開創(chuàng)了內(nèi)存存儲器制造技術的新紀元。NAND閃存的基本存儲單元由一個晶體管構成，而DRAM則由一個電容器和一個晶體管串聯(lián)構成，因此后者更難實現(xiàn)制程技術的微細化。然而，三星電子通過對芯片設計和制程技術的改良，創(chuàng)新性地研發(fā)出改良版雙重照片曝光技術（Modified Double Patterning）和超薄介電層成型技術（Atomic layer deposition），順利實現(xiàn)了20納米4Gb DDR3 DRAM的量產(chǎn)。

　　改良版雙重照片曝光技術僅利用現(xiàn)有的光刻機設備即可生產(chǎn)20納米DDR3 DRAM，同時為下一代10納米級DRAM的量產(chǎn)做了核心技術儲備。電容器單元的介電層不僅超薄，而且前所未有的排列均衡，確保了基本存儲單元的優(yōu)越性能。

　　在這些新技術的基礎上，新一代20納米DDR3 DRAM的生產(chǎn)率比25納米DDR3 DRAM提高了30%以上，更比30納米級DDR3提高了超過一倍。由于DRAM芯片通過切割大小相同的晶圓制造而成，線的直徑越小，芯片就越小，同樣的材料和時間就能制作出更多芯片?；?0納米的DDR3 DRAM更大的優(yōu)點在于節(jié)省用電，電路越纖細，所耗電力越少，20納米DRAM模組的耗電量相比基于25納米DDR3降低了25%，從而可以為信息技術企業(yè)提供更優(yōu)質(zhì)的超節(jié)能綠色信息技術解決方案。

　　展示實力擴大領先優(yōu)勢

　　三星電子此次量產(chǎn)20納米4Gb DDR3 DRAM的另一成功要素是充分利用原有設備量產(chǎn)新產(chǎn)品。要開發(fā)新的微細工藝，置辦一系列生產(chǎn)設備，需要投入數(shù)千億韓元乃至數(shù)萬億韓元資金。但三星電子通過獨家改良勾畫半導體線路的光刻技術，找到了可以有效利用原有設備的途徑。而這對于半導體企業(yè)來說至關重要，因為三星電子曾經(jīng)的競爭者爾必達、茂德、力晶、南亞科技都因為難以承受新工廠、新機器高達數(shù)十億美元的前期投入而不得不陸續(xù)退出市場競爭。

　　三星電子成功量產(chǎn)20納米4Gb DDR3 DRAM之后，將進一步拉大與競爭企業(yè)之間的差距，展示其在半導體領域的主導地位。市場調(diào)查企業(yè)DRAM eXchange公布的數(shù)據(jù)顯示，三星電子2013年在全球DRAM市場的份額為36.7%，在Nand閃存市場的份額為38.4%，在存儲芯片市場穩(wěn)固占據(jù)著第一的位置。截至2000年代末，DRAM市場還是韓國企業(yè)、日本爾必達、德國奇夢達、美國美光、臺灣南亞與力晶等共同角逐的舞臺。其中，德國奇夢達和臺灣力晶等企業(yè)因為用低于成本價的價格進行“出血競爭”，最終于2010年前后宣告破產(chǎn)。日本爾必達也在2013年破產(chǎn)，企業(yè)名稱由爾必達變?yōu)槊拦馊毡?。目前，在存儲芯片市場上，只有SK海力士和美國美光依然沒有放松追擊三星電子的腳步。

　　面向未來持續(xù)推進研發(fā)

　　業(yè)界認為，量產(chǎn)20納米級DRAM將使三星進一步強化行業(yè)主導權。包括日本工廠在內(nèi)，美光2013年第四季度20納米生產(chǎn)工程的比重也只占整體的21%，大幅落后于三星電子（68%）和SK海力士（63%），差距在兩年以上。韓國產(chǎn)業(yè)研究院研究報告顯示，相較于已經(jīng)停滯的電腦市場，量產(chǎn)的20納米DRAM將主攻成長勢頭強勁的手機設備市場。隨著移動設備市場的擴大，三星電子半導體部門的業(yè)績也會大幅上升。

　　三星電子存儲芯片事業(yè)部戰(zhàn)略營銷部門負責人全永鉉表示，將低耗電的20納米DRAM用到電池容量有限的智能手機或平板電腦上，可以提高設備效率，由于售價相對較高，利潤空間也相對較大。其將在包括電腦和移動市場在內(nèi)的信息技術領域迅速站穩(wěn)腳跟，并進一步占據(jù)主流地位。今后，三星電子將繼續(xù)領先競爭對手推出下一代大容量DRAM和綠色存儲方案，為世界信息技術市場的快速增長做出貢獻。全永鉉表示，三星電子將在未來致力于研發(fā)10納米級的新一代DRAM產(chǎn)品，突破半導體技術的瓶頸，持續(xù)推進存儲器市場的發(fā)展。